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(1)变压器储能有开释回路，不需求另设复位电路或复位绕组。底子原因是在开关管导通时，变压器励磁，而开关管闭合时由桥臂上的两个二极管续流，磁芯去磁，一起磁芯能量回来直流电源。
(2)变压器初级电路半导体器材接受的电压等于转换器的输入电压Ui。而单管正激需求高得多的耐压器材。
(3)双管正激相对其他多管的变换器拓扑而言，两只开关管无直通短路的风险。因两只开关管在桥的对角线上，正常作业时便是两管一起注册，一起关断，此刻变压器初级绕组接受电压，所以没有直通风险。而全桥和半桥拓扑则有直通的风险。
现在市面上双管正激计划都是选用单管操控器加变压器或光耦来完成上管驱动，ON Semiconductor新推出NCL30125双管正激计划，上管与下管驱动别离，并通过操控复位MOS可解决开机之前MOS中点电压（HB）不为0的issue。
1. 上管与下管驱动别离，省去上管驱动变压器及其周边期间，全体本钱下降 2. 电源架构简化，可削减电源尺度，完成小型化 3. 通过操控复位MOS可解决开机之前MOS中点电压（HB）不为0的issue。
